The Electrochemistry of Silicon: Instrumentation, Science, Materials and Applications [Englisch] [Gebundene Ausgabe]

100  above  anodic  anodization  applied  area  becomes  below  between  bias  bulk  carriers  case  cell  charge  chemical  cm  concentration  conditions  constant  contact  crystal  current  decrease  density  dependence  different  diffusion  discussed  dissolution  doped  doping  during  effect  electrochemical  electrode  electrolyte  electron  energy  etch  etching  example  fig  film  formation  formed  found  growth  hf  high  holes  however  illumination  increase  interface  jps  layer  low  macropore  may  measurements  micro  model  nm  observed  order  oxidation  oxide  pl  pore  porosity  porous  potential  present  process  properties  ps  rate  reaction  regime  sample  section  shown  shows  si  silicon  size  solutions  structure  substrate  surface  temperature  therefore  thickness  tip  two  used  values  wafer  walls