Kurzbeschreibung
Zur Herstellung hocheffizienter
CdTe-Dünnschichtsolarzellen ist die Abscheidung
dichter, kompakter und homogener Halbleitschichten
von größter Bedeutung. Ein fundamentales Verständis
der Wachstumsmechanismen ermöglicht die Auswahl der
am besten geeigneten Abscheideparameter und somit ein
maßgeschneidertes Wachstum mit optimierten
strukturellen und elektrischen Eigenschaften.
Mit dieser Motivation wird in dieser Arbeit das
Wachstum der CdS und CdTe-Schichten in ausgedehnten,
systematischen Untersuchungen charakterisiert. Es
wird gezeigt, in welcher Weise die Schichten ihr
Wachstum gegenseitig beeinflussen, welchen Einfluß
die CdCl2-Aktivierung auf die Struktur hat und welche
Rolle planare Defekte hierbei einnehmen. Es wird ein
völlig neuer Parameterbereich für die Abscheidung des
CdTe aufgedeckt, der die Abscheidung bei niedrigen
Substrattemperaturen erlaubt.
Wichtigste Werkzeuge hierbei sind die Röntgenbeugung
und hochauflösende Rasterelektronenmikroskopie.
Über den Autor
Johannes Luschitz wirde am 2. Februar 1978 in Görlitz geboren und studierte Materialwissenschaft an der technischen Universität Darmstadt. Seien Promotion fertigte er unter Leitung von Professor Jaegermann im Fachgebiet Oberflächenforschung des Fachbereichs Material- und Geowissenschaften der Technischen Universität Darmstadt an.