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Halbleiter-Leistungsbauelemente: Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit Gebundene Ausgabe – 7. November 2012

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Produktinformation

  • Gebundene Ausgabe: 383 Seiten
  • Verlag: Springer; Auflage: 2. Aufl. 2012 (7. November 2012)
  • Sprache: Deutsch
  • ISBN-10: 3642297951
  • ISBN-13: 978-3642297953
  • Größe und/oder Gewicht: 24,4 x 17 x 2,8 cm
  • Durchschnittliche Kundenbewertung: 5.0 von 5 Sternen  Alle Rezensionen anzeigen (3 Kundenrezensionen)
  • Amazon Bestseller-Rang: Nr. 87.913 in Bücher (Siehe Top 100 in Bücher)
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Produktbeschreibungen

Pressestimmen

Aus den Rezensionen:

"Die Bauelemente sind der Kernbereich der Leistungselektronik; insofern sind Kenntnisse darüber obligatorisch. Jedes wird hier genau beschrieben: zunächst einführend Aufbau und wichtigste Eigenschaften, dann besondere physikalische Effekte. … das Buch wendet sich also an Studierende und praktische Ingenieure. Prinzipiell behandeln auch allgemeine Titel zur Leistungselektronik sehr ausführlich die Bauelemente …"

(Weinheimer-Hartmann, in: ekz-Informationsdienst)

-- Dieser Text bezieht sich auf eine vergriffene oder nicht verfügbare Ausgabe dieses Titels.

Buchrückseite

Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren,  MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden  leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.

Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.

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Die hilfreichsten Kundenrezensionen

Von Hermann am 4. Juli 2011
Format: Gebundene Ausgabe
Eine wirklich gute Einführung in das Thema ! Arbeite selber in der Power Device Entwicklung und habe jetzt was gefunden wo ich mal schnell nachschlagen kann und auch neue Einblicke gewinne.
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4 von 7 Kunden fanden die folgende Rezension hilfreich Von Hans-Guenter Eckel am 18. September 2006
Format: Gebundene Ausgabe
Prof. Lutz gelingt eine gut lesbare, sehr umfassende Darstellung. Neben den in solchen Büchern üblichen Grundlagen wird auch die Funktionsweise der neuesten Leistunghalbleiter, wie CoolMOS und Trench IGBT anschaulich erklärt. Daneben gibt es viel Interessantes zu Aufbautechnik, Ausfallmechanismen, Schwingungen etc., was man sonst nur in Tagungsbänden und Fachzeitungen findet. Lesenswert!
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0 von 12 Kunden fanden die folgende Rezension hilfreich Von J. Schneider am 2. August 2006
Format: Gebundene Ausgabe
Josef Lutz ist mit diesem Buch ein verständlicher Einstieg in die Halbleiterkunde gelungen. Er gliedert klar, das Elemtarwissen wird Schritt für Schritt vermittelt. In Sachen Technik bietet der Markt aber auch unterhaltsamere Werke, so wie Marcel Dreykopfs Buch "Fußball Das Allerletzte". Es vermittelt hervorragende Einblicke in die Technik von Fußball-Profis, auf dem Platz und beim Aushandeln lukrativer Verträge. Ball und Schaltkreis sind beide rund, und warum sollten Techniker nicht auch mal lachen.
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